Заявки, поступившие на конкурс лучших научных проектов междисциплинарных фундаментальных исследований 2019 года (конкурс «мк», тема 26-903)

Руководитель

Номер проекта

Название проекта

Абгарян К. К.

19-29-03051

Многомасштабное моделирование работы многоуровневых элементов памяти в качестве синапсов и разработка программного обеспечения для систем с механизмом параллельных вычислений, необходимых для создания нейроморфных сетей.

Агеев Э. И.

19-29-03065

Исследование металлодиэлектрических метаповерхностей для применения в качестве элементов энергонезависимой памяти

Аликин Д. О.

19-29-03060

Взаимосвязь резистивного переключения и переключения поляризации в тонких сегнетоэлектрических плёнках RFeO3 (R = Bi, Lu)

Алёшин А. Н.

19-29-03003

Исследование влияния физико-химического воздействия на воспроизводимость основных электрических параметров мемристорных структур.

Андреева Н. В.

19-29-03005

Управляемое многоуровневое переключение сопротивления в гетерогенных металлооксидных структурах. Физико-технологические основы.

Асваров А. Ш.

19-29-03027

Разработка новых материалов и технологий для аддитивного формирования мемристорных устройств и исследование вакансионного механизма резистивного переключения в них

Афанасьев М. С.

19-29-03042

Исследования свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик-металл на основе сегнетоэлектрических пленок различных составов для возможности реализации высоконадежных энергонезависимых ячеек памяти

Барабан А. П.

19-29-03016

Управляемое дефектообразование в оксидах металлов для реализации обратимых резистивных переключений

Бегинин Е. Н.

19-29-03034

Многоуровневые магнонные сети с управляемыми локальными деформациями элементами межсоединений для обработки информационного сигнала на нейроморфных принципах

Белов А. И.

19-29-03039

Исследование механизмов физико-химических процессов на интерфейсах в мемристивных наноструктурах металл/оксид/металл, определяющих параметры элементов памяти на их основе

Белов А. Н.

19-29-03055

Установление физико-химических механизмов резистивного переключения в полупроводниковых слоях для создания на их основе искусственных синаптических структур.

Божко С. И.

19-29-03021

Исследование механизмов резистивных переключений для разработки высокоскоростных мемристоров.

Бойцова О. В.

19-29-03064

Нейроморфные термоэлектрические схемы на основе тонкопленочных мемристорных элементов VO2

Вайнштейн И. А.

19-29-03019

Механизмы мемристивного переключения в слоистых структурах на основе нанотубулярных диоксидов циркония и титана с анионным дефицитом

Валеев Р. Г.

19-29-03020

Физико-химическое изучение процессов изменения резистивного состояния мемристивных структур на основе оксидов металлов и слоистых двумерных соединений

Вербенко И. А.

19-29-03061

Мемристорный эффект в бессвинцовых сложных оксидах со структурой перовскита

Гейдт П. В.

19-29-03066

Разработка методов характеризации наноразмерных элементов резистивной памяти

Гороховский А. В.

19-29-03028

Физические принципы работы элементов резистивной памяти (RRAM) на основе голландитоподобных структур состава Kx(Ti8-у,Meу)8O16-δ

Горшков О. Н.

19-29-03026

Мемристорные структуры на основе эпитаксиальных слоев SiGe для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных приложений

Дроздов К. А.

19-29-03044

Резистивные переключения в композитных структурах на основе фталоцианиновых коплексов

Дубков А. А.

19-29-03046

Моделирование стохастической динамики многоуровневых мемристивных устройств как элементов нейроморфных систем, основанное на физике микроскопических явлений в структурах «металл-оксид-металл»

Ерохин В. В.

19-29-03057

Мемристивные элементы из полисопряженных органических полупроводниковых функциональных материалов для аппаратной реализации модельных биологически правдоподобных нейроморфных сетей

Ефремов А. М.

19-29-03001

Разработка фундаментальных основ вакуумно-плазменных технологий элементной базы и оптимизации структурных параметров мемристорных устройств

Зенкевич А. В.

19-29-03045

Создание научных основ резистивной встроенной энергонезависимой памяти на основе функциональных слоев оксидов тантала, гафния и кремния, сформированных магнетронным осаждением.

Иржак Д. В.

19-29-03007

Исследования механизмов переключения и влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления элементов памяти на основе оксидов металлов

Исламов Д. Р.

19-29-03009

Элементы резистивной памяти на основе оксидов циркония, не требующие стадии формовки

Ковешников С. В.

19-29-03035

Исследование механизма образования проводящего филамента и процессов переключения в элементах резистивной памяти на основе оксидов металлов

Козлов А. И.

19-29-03053

Исследование многослойных нано- и микроструктур, поверхности и объема полупроводниковых материалов после воздействия лазерного излучения в мозаичной технологии создания мозаичных матриц памяти терабитного масштаба

Колпаков В. А.

19-29-03014

Разработка физических основ формирования мемристорных структур в низкотемпературной плазме высоковольтного газового разряда

Королев Д. С.

19-29-03040

Разработка элементов энергонезависимой оптической памяти на основе интегрированных полосковых волноводов с переключаемой прозрачностью

Крыжановский Б. В.

19-29-03030

Поиск физических, технологических и схемотехнических нейросетевых решений на основе мемристорных кроссбаров.

Кузьмина А. С.

19-29-03033

Исследование влияния легирующих примесей и ростовых дефектов на электрические и магнитные свойства тонких плёнок ZnO, перспективных для разработки энергонезависимых устройств памяти нового поколения

Кухарская Н. Ф.

19-29-03024

Развитие прецизионных методов физической диагностики структур металл-диэлектрик-полупроводник - основы СВЧ-транзисторов, туннельных диодов и элементов памяти

Левашов С. А.

19-29-03025

Исследования проводимости и перестраиваемости примесной поверхностной электронной зоны, образованной ионами у границы раздела кремний-окисел, в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с целью возможности создания нового типа многоуровневой памяти

Мальцев П. П.

19-29-03008

Исследование физико-химических факторов, препятствующих достижению надежности мемристорных структур.

Маркеев А. М.

19-29-03038

Разработка и создание бесформовочного самоселективного элемента оксидной резистивной памяти с привлечением метода атомно-слоевого осаждения для трехмерной вертикальной ReRAM высокой плотности

Морозова М. А.

19-29-03049

Физико-технологические основы энергонезависимых элементов памяти с совмещением в одном чипе многофункциональных устройств на принципах сегнетоэлектричества и спинтроники для нейроморфных систем

Нарышкина В. Г.

19-29-03023

Диагностика гетерограниц диэлектрик - полупроводник на основе изолирующих окислов с высокой диэлектрической проницаемостью для формирования на их основе элементов памяти

Николайчик В. И.

19-29-03010

Оптимизация приборных структур и поиск новых материалов для реализации мемристорных ячеек памяти с малым разбросом электрических параметров

Новодворский О. А.

19-29-03032

Лазерный синтез мемристорных структур на основе оксидов переходных металлов V, Nb, Ta в кроссбар-геометрии и реализация основных аппаратных элементов нейроморфных систем нейристора и синаптора на их основе.

Орлов О. М.

19-29-03018

Физические принципы многоуровневых мемристоров на основе нитрида кремния для нейроморфных применений и энергонезависимой памяти нового поколения

Панин Г. Н.

19-29-03050

Энергонезависимая многоуровневая фоторезистивная память на основе оксида графена и родственных низкоразмерных материалов

Подорожкин Д. Ю.

19-29-03002

Влияние дефектов на изменение сопротивления и электронных свойств мемристоров на основе оксидов галлия, титана и ниобия, а также оксидов титана и ниобия, легированных галлием

Русаков С. Г.

19-29-03012

Разработка для осцилляторных нейронных сетей на мемристорах перспективных схемотехнических решений нейронных и синаптических элементов и методов моделирования осцилляторных ансамблей.

Рыбин М. В.

19-29-03056

Многоуровневые элементы оптической памяти на основе халькогенидных материалов с фазовой памятью

Рябцев С. В.

19-29-03063

Резистивное переключение в наноструктурах на основе металлоксидных слоев и разработка технологии изготовления мемристорных материалов с управляемой нестехиометрией

Сарнацкий В. М.

19-29-03006

Построение мемристорных запоминающих устройств с использованием халькогенидов переходных металлов.

Сафин А. Р.

19-29-03015

Исследование возможности создания новой элементной базы нейроморфных процессоров на основе сетей спинтронных осцилляторов и магнитных волноведущих структур

Серегин Д. С.

19-29-03058

Сегнетоэлектрические перовскиты и композиты для устройств энергонезависимой памяти

Ситников А. В.

19-29-03022

Многоуровневый мемристивный элемент на базе наногранулированного магнитного композита со встроенной оксидной прослойкой: механизмы переключения, роль атомарной фазы в изолирующей матрице

Смирнов А. С.

19-29-03036

Селективное травление нитрида кремния ВЧ разрядом смеси SF6/H2/He/Ar

Смирнов В. А.

19-29-03041

Мемристорные структуры, не требующие формовки, на основе оксидов металлов для сверхбыстродействующих элементов энергонезависимой памяти

Соболев Н. А.

19-29-03059

Физические принципы резистивного переключения в структурах на основе кремний-углеродной матрицы.

Титов М. Л.

19-29-03029

Антиферромагнитные материалы как основа элементной базы нейроморфных устройств

Третьяков И. В.

19-29-03017

Энергонезависимые многоуровневые элементы памяти на основе оксидированного CVD графена (GO) для нейроморфных вычислительных технологий.

Тулин В. А.

19-29-03011

Исследование и разработка функциональных свойств селенидов металлов в мемристорных структурах для применения в электронике.

Тысченко И. Е.

19-29-03031

Логические элементы и архитектура микросхем хранения и обработки информации с искусственным интеллектом на основе двухзатворных сегнетоэлектрических транзисторов

Хартон В. В.

19-29-03048

Механизмы дефектообразования, переноса и эффектов памяти в оксидных системах с перовскитоподобными и слоистыми структурами

Чарная Е. В.

19-29-03004

Мемристорные элементы на основе нанокомпозитов с новыми органическими сегнетоэлектриками

Чуприк А. А.

19-29-03047

Влияние распределения электрического поля на стабильность характеристик мемристора

Юдин Д. И.

19-29-03013

Квантовые нейроморфные системы на основе магнитных материалов и их приложения