Итоги конкурса на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований 2019 года (конкурс «мк», тема 26-903)
Код конкурса: мк
Год конкурса: 2019
На конкурс по теме 26-903 «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем» поступила 61 заявка, по результатам экспертизы поддержано – 25 проектов.
Список поддержанных проектов
Руководитель | Номер проекта | Название проекта |
Абгарян К. К. | 19-29-03051 | Многомасштабное моделирование работы многоуровневых элементов памяти в качестве синапсов и разработка программного обеспечения для систем с механизмом параллельных вычислений, необходимых для создания нейроморфных сетей. |
Алёшин А. Н. | 19-29-03003 | Исследование влияния физико-химического воздействия на воспроизводимость основных электрических параметров мемристорных структур. |
Афанасьев М. С. | 19-29-03042 | Исследования свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик-металл на основе сегнетоэлектрических пленок различных составов для возможности реализации высоконадежных энергонезависимых ячеек памяти |
Бегинин Е. Н. | 19-29-03034 | Многоуровневые магнонные сети с управляемыми локальными деформациями элементами межсоединений для обработки информационного сигнала на нейроморфных принципах |
Белов А. Н. | 19-29-03055 | Установление физико-химических механизмов резистивного переключения в полупроводниковых слоях для создания на их основе искусственных синаптических структур. |
Божко С. И. | 19-29-03021 | Исследование механизмов резистивных переключений для разработки высокоскоростных мемристоров. |
Горшков О. Н. | 19-29-03026 | Мемристорные структуры на основе эпитаксиальных слоев SiGe для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных приложений |
Ерохин В. В. | 19-29-03057 | Мемристивные элементы из полисопряженных органических полупроводниковых функциональных материалов для аппаратной реализации модельных биологически правдоподобных нейроморфных сетей |
Иржак Д. В. | 19-29-03007 | Исследования механизмов переключения и влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления элементов памяти на основе оксидов металлов |
Ковешников С. В. | 19-29-03035 | Исследование механизма образования проводящего филамента и процессов переключения в элементах резистивной памяти на основе оксидов металлов |
Королев Д. С. | 19-29-03040 | Разработка элементов энергонезависимой оптической памяти на основе интегрированных полосковых волноводов с переключаемой прозрачностью |
Крыжановский Б. В. | 19-29-03030 | Поиск физических, технологических и схемотехнических нейросетевых решений на основе мемристорных кроссбаров. |
Маркеев А. М. | 19-29-03038 | Разработка и создание бесформовочного самоселективного элемента оксидной резистивной памяти с привлечением метода атомно-слоевого осаждения для трехмерной вертикальной ReRAM высокой плотности |
Морозова М. А. | 19-29-03049 | Физико-технологические основы энергонезависимых элементов памяти с совмещением в одном чипе многофункциональных устройств на принципах сегнетоэлектричества и спинтроники для нейроморфных систем |
Новодворский О. А. | 19-29-03032 | Лазерный синтез мемристорных структур на основе оксидов переходных металлов V, Nb, Ta в кроссбар-геометрии и реализация основных аппаратных элементов нейроморфных систем нейристора и синаптора на их основе. |
Орлов О. М. | 19-29-03018 | Физические принципы многоуровневых мемристоров на основе нитрида кремния для нейроморфных применений и энергонезависимой памяти нового поколения |
Панин Г. Н. | 19-29-03050 | Энергонезависимая многоуровневая фоторезистивная память на основе оксида графена и родственных низкоразмерных материалов |
Русаков С. Г. | 19-29-03012 | Разработка для осцилляторных нейронных сетей на мемристорах перспективных схемотехнических решений нейронных и синаптических элементов и методов моделирования осцилляторных ансамблей. |
Сафин А. Р. | 19-29-03015 | Исследование возможности создания новой элементной базы нейроморфных процессоров на основе сетей спинтронных осцилляторов и магнитных волноведущих структур |
Серегин Д. С. | 19-29-03058 | Сегнетоэлектрические перовскиты и композиты для устройств энергонезависимой памяти |
Ситников А. В. | 19-29-03022 | Многоуровневый мемристивный элемент на базе наногранулированного магнитного композита со встроенной оксидной прослойкой: механизмы переключения, роль атомарной фазы в изолирующей матрице |
Смирнов В. А. | 19-29-03041 | Мемристорные структуры, не требующие формовки, на основе оксидов металлов для сверхбыстродействующих элементов энергонезависимой памяти |
Тулин В. А. | 19-29-03011 | Исследование и разработка функциональных свойств селенидов металлов в мемристорных структурах для применения в электронике. |
Тысченко И. Е. | 19-29-03031 | Логические элементы и архитектура микросхем хранения и обработки информации с искусственным интеллектом на основе двухзатворных сегнетоэлектрических транзисторов |
Чарная Е. В. | 19-29-03004 | Мемристорные элементы на основе нанокомпозитов с новыми органическими сегнетоэлектриками |
