Cинтез и физические свойства полупроводниковых гетероструктурированных InAsP/InP нитевидных нанокристаллов для создания устройств пьезотроники
| Номер гранта: | 18-07-01364 |
| Область научного знания: | инфокоммуникационные технологии и вычислительные системы |
| Тип конкурса: | (а)(а) конкурс проектов фундаментальных научных исследований |
| Год выполнения: | 2018г. |
| Руководитель: | Сошников Илья Петрович |
| Статус заявки: | поддержана |
Аннотация к заявке:
Проект направлен на исследование процессов роста нитевидных нанокристаллов с гетероструктурами InAsP/InP в вюрцитной фазе (квантовая точка в проволоке и с радиальными гетеропереходами) и их структурных, оптических и пьезо свойств. Ранее авторами проекта было показано, что нитевидные нанокристаллы полупроводниковых материалов A3B5 (не нитридных) могут расти в гексагональной кристаллической фазе типа вюрцита. Такие структуры могут проявлять пьезосвойства со связанностью 3-3. Однако, основной проблемой при реализации структур с пьезосвойствами является нестабильность формирования вюрцитной фазы. Предварительные исследования показывают, что в случае гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов InAs/InAsP может наблюдаться образование стабильной вюрцитной фазы. Указанное создает перспективы для развития методов создания устройств на основе пьезоэлектрических и пьезооптических свойств. Поэтому в представленном проекте будут исследоваться процессы роста гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов InAs/InAsP методом молекулярно-пучковой эпитаксии для определения закономерностей и условий образования вюрцитной фазы. Кроме того, будут исследовано влияние размеров и морфологии гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов InAs/InAsP на пьезоэлектрические, пьезорезистивные и пьезооптические свойства.Аннотация к заявке приведена в авторской редакции. По состоянию на 09.05.2025
Поделиться:
