- Книга
- Содержание
Вернуться в библиотеку
Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Закрыть (Esc)
Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Осипьян Ю.А.
Бредихин С.И.
Кведер В.В.
Классен Н.В.
Негрий В.Д.
Петренко В.Ф.
Смирнова И.С.
Шевченко С.А.
Штейнман Э.А.
Шмурак С.З.
- Титульный лист
- Об авторе
- Предисловие
- Часть I. Электронные свойства дислокаций в полупроводниковых кристаллах кремния и германия
- Глава 1. Электродипольный спиновый резонанс и спин-независимая рекомбинации на дислокациях в кремнии
- Введение
- 1. Основы ЭДСР в одномерной системе
- 2. ЭДСР дырок на расщепленных 60 гр. дислокациях в Si
- 3. ЭДСР электронов на дислокациях Ломера
- 4. Спин-зависимые эффекты в рекомбинации на дислокациях
- Заключение
- Литература
- Глава 2. Электрическая активность дислокаций в германии
- Введение
- 1. Теоретические предпосылки
- 2. Проводимость свободными носителями тока в пластически деформированном германии
- 3. Фотопроводимость пластически деформированного германия
- 4. СВЧ-проводимость в кристаллах с дислокациями
- 5. Статическая дислокационная проводимость в германии и кремнии
- 6. Точечные дефекты в пластически деформированном германии
- Заключение
- Литература
- Глава 3. Рекомбинационное излучение, связанное с дислокациями в кремнии и германии
- Введение
- 1. Пространственная ориентация: поляризационные и пьезоспектроскопические исследования ДФЛ
- 2. Тонкая структура спектров ДФЛ в кремнии и германии и ее связь с величиной расщепления 60 гр. дислокаций. Проявление одномерности
- 3. Температурная зависимость и квантовый выход ДФЛ в кремнии
- 4. Влияние примесей и образование комплексов примесь-дислокация
- Заключение
- Литература
- Часть II. Электронные свойства дислокаций в полупроводниковых кристаллах соединений А 2 В 6
- Глава 4. Типы дислокаций в кристаллах сфалерита и вюрцита и их структурные особенности
- Введение
- 1. Структура сфалерита (класс T d )
- 2. Структура вюрцита (класс С 6в )
- 3. Расщепление дислокаций
- Заключение
- Литература
- Глава 5. Взаимодействие электронов с движущимися дислокациями в полупроводниках и электронно-пластические эффекты
- Введение
- 1. Структура и физические свойства соединений группы II-IV
- 2. Дислокации в кристаллах, подвергнутых пластической деформации
- 3. Оптические переходы вблизи дислокаций и на них
- 4. Модели дислокационного заряда
- 5. Движение дислокаций
- 6. Фотопластический эффект
- 7. Инжекционно-пластический эффект
- 8. Влияние рентгеновского излучения на пластическую деформацию соединений II-IV
- 9. Обратимое возбуждение электронной подсистемы движущимися дислокациями
- Заключение
- Литература
- Глава 6. Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с электронными центрами в полупроводниковых кристаллах А 2 В 6
- Введение
- 1. Заряды дислокаций в кристаллах сульфида цинка
- 2. Поверхностная деформационная электролюминесценция кристаллов ZnS
- 3. Взаимодействие движущихся дислокаций с центрами люминесценции в кристаллах сульфида и селенита цинка
- 4. Взаимодействие дислокаций с мелкими электронными центрами и эффекты увлечения носителей движущимися дислокациями
- Заключение
- Литература
- Глава 7. Оптические свойства, структура и динамика дислокаций в CdS при низких температурах
- Введение
- 1. Природа ДИ и структура дислокационных петель в пластически деформированных кристаллах CdS
- 2. Пьезоспектроскопия дислокационного излучения
- 3. Динамика винтовых дислокаций
- 4. Исследование поляризации ДИ
- Заключение
- Литература
- Глава 8. Коллективные взаимодействия в подсистеме структурных дефектов и распространение света в деформированных кристаллах
- Введение
- 1. Спектральная особенность поглощения света дислокациями в деформированном сульфиде кадмия
- 2. Фокусировка и рассеяние света дислокациями и их спектральные аномалии
- 3. Оптические дифракционные явления на периодических cвepx- структурах кристаллических дефектов
- 4. Некоторые возможности оптических применений кристаллов с регулируемыми структурами дефектов
- Литература