Книга
Содержание
Вернуться в библиотеку
Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Закрыть (Esc)
Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Осипьян Ю.А.
Бредихин С.И.
Кведер В.В.
Классен Н.В.
Негрий В.Д.
Петренко В.Ф.
Смирнова И.С.
Шевченко С.А.
Штейнман Э.А.
Шмурак С.З.
Титульный лист
Об авторе
Предисловие
Часть I. Электронные свойства дислокаций в полупроводниковых кристаллах кремния и германия
Глава 1. Электродипольный спиновый резонанс и спин-независимая рекомбинации на дислокациях в кремнии
Введение
1. Основы ЭДСР в одномерной системе
2. ЭДСР дырок на расщепленных 60 гр. дислокациях в Si
3. ЭДСР электронов на дислокациях Ломера
4. Спин-зависимые эффекты в рекомбинации на дислокациях
Заключение
Литература
Глава 2. Электрическая активность дислокаций в германии
Введение
1. Теоретические предпосылки
2. Проводимость свободными носителями тока в пластически деформированном германии
3. Фотопроводимость пластически деформированного германия
4. СВЧ-проводимость в кристаллах с дислокациями
5. Статическая дислокационная проводимость в германии и кремнии
6. Точечные дефекты в пластически деформированном германии
Заключение
Литература
Глава 3. Рекомбинационное излучение, связанное с дислокациями в кремнии и германии
Введение
1. Пространственная ориентация: поляризационные и пьезоспектроскопические исследования ДФЛ
2. Тонкая структура спектров ДФЛ в кремнии и германии и ее связь с величиной расщепления 60 гр. дислокаций. Проявление одномерности
3. Температурная зависимость и квантовый выход ДФЛ в кремнии
4. Влияние примесей и образование комплексов примесь-дислокация
Заключение
Литература
Часть II. Электронные свойства дислокаций в полупроводниковых кристаллах соединений А 2 В 6
Глава 4. Типы дислокаций в кристаллах сфалерита и вюрцита и их структурные особенности
Введение
1. Структура сфалерита (класс T d )
2. Структура вюрцита (класс С 6в )
3. Расщепление дислокаций
Заключение
Литература
Глава 5. Взаимодействие электронов с движущимися дислокациями в полупроводниках и электронно-пластические эффекты
Введение
1. Структура и физические свойства соединений группы II-IV
2. Дислокации в кристаллах, подвергнутых пластической деформации
3. Оптические переходы вблизи дислокаций и на них
4. Модели дислокационного заряда
5. Движение дислокаций
6. Фотопластический эффект
7. Инжекционно-пластический эффект
8. Влияние рентгеновского излучения на пластическую деформацию соединений II-IV
9. Обратимое возбуждение электронной подсистемы движущимися дислокациями
Заключение
Литература
Глава 6. Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с электронными центрами в полупроводниковых кристаллах А 2 В 6
Введение
1. Заряды дислокаций в кристаллах сульфида цинка
2. Поверхностная деформационная электролюминесценция кристаллов ZnS
3. Взаимодействие движущихся дислокаций с центрами люминесценции в кристаллах сульфида и селенита цинка
4. Взаимодействие дислокаций с мелкими электронными центрами и эффекты увлечения носителей движущимися дислокациями
Заключение
Литература
Глава 7. Оптические свойства, структура и динамика дислокаций в CdS при низких температурах
Введение
1. Природа ДИ и структура дислокационных петель в пластически деформированных кристаллах CdS
2. Пьезоспектроскопия дислокационного излучения
3. Динамика винтовых дислокаций
4. Исследование поляризации ДИ
Заключение
Литература
Глава 8. Коллективные взаимодействия в подсистеме структурных дефектов и распространение света в деформированных кристаллах
Введение
1. Спектральная особенность поглощения света дислокациями в деформированном сульфиде кадмия
2. Фокусировка и рассеяние света дислокациями и их спектральные аномалии
3. Оптические дифракционные явления на периодических cвepx- структурах кристаллических дефектов
4. Некоторые возможности оптических применений кристаллов с регулируемыми структурами дефектов
Литература