Исследование процессов низкоэнергетичного травления барьерных слоев гетеропары AlGaN/GaN в хлорсодержащей среде с источником индуктивно-связанной плазмы.

Развитие информационных технологий требует роста частот и мощности электронных комплектующих современных устройств. Структуры на основе нитрида галлия удовлетворяют данным требованиям. В России уже продемонстрирована принципиальная возможность изготовления микросхем на нитриде галлия с граничной частотой усиления по току до 90-100 ГГц. На сегодняшний день активно разрабатываются и исследуются нормально закрытые транзисторы на нитридных гетероструктурах, которые могут использоваться в цифровых интегральных схемах и силовой электронике. При изготовлении нормально закрытых транзисторов часто возникает необходимость уменьшения толщины барьерного слоя под затвором без внесения дефектов в структуру, что сказывается на подвижности основных носителей заряда в канале. В проекте предлагается использовать двухступенчатое травление барьерного слоя структуры за счет плазмохимического травления окисленных в кислороде слоев Al1-xGaxN в установке с источником индуктивно-связанной плазмы. Предложенная методика травления должна обеспечить низкоэнергетичное травление Al1-xGaxN, что позволит бездефектно работать со структурами с разной толщиной барьерного слоя. Исследование и разработка процесса циклического низкоэнергетичного плазмохимического травления барьерных слоев планируется использовать для подзатворного углубления на нитридных структурах для создания отечественного нормально закрытого полевого транзистора, модель которого будет использоваться при проектировании микросхем цифровой и силовой электроники.