Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе синтетического полупроводникового алмаза

Целью проекта является исследование транспорта носителей заряда в структурах на основе синтетического полупроводникового алмаза для изучения влияния сильных электрических полей на кинетические коэффициенты и выяснения возможности реализации в этих структурах отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП). Планируется изучение следующих структур: n+-p+ переходы с сильно легированными n- и p-областями, структуры с контактами Шоттки к алмазу p-типа, сильно легированному бором, структуры m-i-p+ (металл – слабо легированный слой алмаза – сильно легированная подложка), сверхтонкие (10-30 нм) слои алмаза с омическими контактами или контактами Шоттки. Соответственно, рассматриваются следующие варианты получения ОДП:1. Туннельно тонкий n-p переход, в котором возможно получение падающей вольтамперной характеристики при прямом смещении (типа туннельного диода Esaki);2. Обратно-смещенный n-p переход или же m-i-p^+ структура с контактом Шоттки, в которых может возникать динамическая ОДП за счет лавинного пробоя, инжекции или же туннельной ионизации барьера и дальнейшего движения пакета носителей в пролетном промежутке структуры (лавинно-пролетный, инжекционно-пролетный или туннельно-пролетный резонанс);3. Пролетный резонанс носителей при разогреве до энергии оптического фонона в условиях стриминга;4. Баллистический транспорт в сверхтонких слоях алмаза.