Разработка методов и устройств сложения мощностей твердотельных источников излучения миллиметрового диапазона для телекоммуникационных систем

В соответствии с письмом от 15.02.2007 года по проекту 07-07-00009 работа состоит из двух частей. По первой части объединенного проекта исследовалась возможность синхронизации генераторов, представляющих собой логопериодическую антенну с вмонтированным в ее плечи диодом Ганна. С целью исследования условий синхронизации таких генераторов отдельная антенна с диодом Ганна облучалась внешним источником. Экспериментально были определены зависимости мощности синхросигнала и полосы синхронизации, а также добротность колебательной системы. Были изготовлены также две антенны-генератора на одной диэлектрической подложке. Экспериментально наблюдался захват частоты одного из генераторов другим и их взаимная синхронизация в полосе частот 20 МГц. Выяснилось, что частоты автоколебаний двух идентичных генераторов отличаются на несколько сотен мегагерц и требуется их подстройка (в данном случае изменением напряжения питания) для сведения частот в полосу захвата. Это обстоятельство затрудняет синхронизацию большого числа генераторов. Кроме того, к.п.д. системы в условиях необходимой подстройки частоты снижается до величины ~ 0.5 %, что недостаточно для практического использования в схемах суммирования мощности большого числа источников. В связи с этим было решено в дальнейшем в качестве основного генерирующего модуля использовать логопериодическую антенну с полевым транзистором. Предварительные эксперименты показали, что частота генерации однозначно определяется геометрией антенны, а к.п.д. превышает 5 %. По второй части объединенного проекта были проведены: 1. Исследования возможности выращивания гетероструктур соединений на основе GaN с высоким содержанием Al методом MOCVD при пониженном давлении. Разработана технология выращивания полупроводниковых нано-гетероструктур на основе нитридов алюминия и галлия, выращены экспериментальные образцы гетероструктур. 2. Исследования параметров слоистых полупроводниковых структур (in situ рефлектометрия, измерение фотолюминесценции, рентгеновские исследования, измерения спектров пропускания образцов). Полученные результаты открывают возможности создания на основе таких структур экспериментальных образцов «солнечно-слепых» быстродействующих фотодиодов для широкополосных помехозащищенных оптических информационных систем.