Итоги конкурса на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований 2019 года (конкурс «мк», тема 26-903)

На конкурс по теме 26-903 «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем» поступила 61 заявка, по результатам экспертизы поддержано – 25 проектов.

Список поддержанных проектов

Руководитель

Номер проекта

Название проекта

Абгарян К. К.

19-29-03051

Многомасштабное моделирование работы многоуровневых элементов памяти в качестве синапсов и разработка программного обеспечения для систем с механизмом параллельных вычислений, необходимых для создания нейроморфных сетей.

Алёшин А. Н.

19-29-03003

Исследование влияния физико-химического воздействия на воспроизводимость основных электрических параметров мемристорных структур.

Афанасьев М. С.

19-29-03042

Исследования свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик-металл на основе сегнетоэлектрических пленок различных составов для возможности реализации высоконадежных энергонезависимых ячеек памяти

Бегинин Е. Н.

19-29-03034

Многоуровневые магнонные сети с управляемыми локальными деформациями элементами межсоединений для обработки информационного сигнала на нейроморфных принципах

Белов А. Н.

19-29-03055

Установление физико-химических механизмов резистивного переключения в полупроводниковых слоях для создания на их основе искусственных синаптических структур.

Божко С. И.

19-29-03021

Исследование механизмов резистивных переключений для разработки высокоскоростных мемристоров.

Горшков О. Н.

19-29-03026

Мемристорные структуры на основе эпитаксиальных слоев SiGe для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных приложений

Ерохин В. В.

19-29-03057

Мемристивные элементы из полисопряженных органических полупроводниковых функциональных материалов для аппаратной реализации модельных биологически правдоподобных нейроморфных сетей

Иржак Д. В.

19-29-03007

Исследования механизмов переключения и влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления элементов памяти на основе оксидов металлов

Ковешников С. В.

19-29-03035

Исследование механизма образования проводящего филамента и процессов переключения в элементах резистивной памяти на основе оксидов металлов

Королев Д. С.

19-29-03040

Разработка элементов энергонезависимой оптической памяти на основе интегрированных полосковых волноводов с переключаемой прозрачностью

Крыжановский Б. В.

19-29-03030

Поиск физических, технологических и схемотехнических нейросетевых решений на основе мемристорных кроссбаров.

Маркеев А. М.

19-29-03038

Разработка и создание бесформовочного самоселективного элемента оксидной резистивной памяти с привлечением метода атомно-слоевого осаждения для трехмерной вертикальной ReRAM высокой плотности

Морозова М. А.

19-29-03049

Физико-технологические основы энергонезависимых элементов памяти с совмещением в одном чипе многофункциональных устройств на принципах сегнетоэлектричества и спинтроники для нейроморфных систем

Новодворский О. А.

19-29-03032

Лазерный синтез мемристорных структур на основе оксидов переходных металлов V, Nb, Ta в кроссбар-геометрии и реализация основных аппаратных элементов нейроморфных систем нейристора и синаптора на их основе.

Орлов О. М.

19-29-03018

Физические принципы многоуровневых мемристоров на основе нитрида кремния для нейроморфных применений и энергонезависимой памяти нового поколения

Панин Г. Н.

19-29-03050

Энергонезависимая многоуровневая фоторезистивная память на основе оксида графена и родственных низкоразмерных материалов

Русаков С. Г.

19-29-03012

Разработка для осцилляторных нейронных сетей на мемристорах перспективных схемотехнических решений нейронных и синаптических элементов и методов моделирования осцилляторных ансамблей.

Сафин А. Р.

19-29-03015

Исследование возможности создания новой элементной базы нейроморфных процессоров на основе сетей спинтронных осцилляторов и магнитных волноведущих структур

Серегин Д. С.

19-29-03058

Сегнетоэлектрические перовскиты и композиты для устройств энергонезависимой памяти

Ситников А. В.

19-29-03022

Многоуровневый мемристивный элемент на базе наногранулированного магнитного композита со встроенной оксидной прослойкой: механизмы переключения, роль атомарной фазы в изолирующей матрице

Смирнов В. А.

19-29-03041

Мемристорные структуры, не требующие формовки, на основе оксидов металлов для сверхбыстродействующих элементов энергонезависимой памяти

Тулин В. А.

19-29-03011

Исследование и разработка функциональных свойств селенидов металлов в мемристорных структурах для применения в электронике.

Тысченко И. Е.

19-29-03031

Логические элементы и архитектура микросхем хранения и обработки информации с искусственным интеллектом на основе двухзатворных сегнетоэлектрических транзисторов

Чарная Е. В.

19-29-03004

Мемристорные элементы на основе нанокомпозитов с новыми органическими сегнетоэлектриками

Помог ли вам материал?
0    0
Оставить комментарий
Пользователь с таким email уже зарегистрирован на сайте.
Для входа на сайт введите пароль

Неверные логин или пароль

Оставляя комментарий к опубликованным материалам, не авторизовавшись или не зарегистрировавшись, система произведет автоматическое создание вашего профиля. Система пришлет на указанный Вами адрес электронной почты данные для входа: ваши логин и пароль. После регистрации Вы сможете создать полнофункциональный профиль пользователя и использовать все интерактивные функции портала. Для продолжения необходимо ввести слово с картинки.
Вы ввели неверный код. Пожалуйста, введите текст с изображения снова.